【图1：会议现场】

孔令文：从云到端，5G时代SIP（系统集成）技术将迎来更大发展

【图2：无锡天芯互联科技有限公司总经理孔令文】

5G从今年开始建实验区，4G解决不了很多数据问题，其中最典型的是视频交互。这不单指的是电信基础设施，终端的问题也很多，关键在于数据作为最终的用户驱动。硬件的发展制约了摩尔定律，2004年业界提出More Moore方式以来，SIP系统封装已成为先进封装主流，主要用得比较多的是SIP模组，这是相对基础的技术。SIP最终解决的是小型化问题，主要解决更小、可穿戴的（手环、手表）及智能家庭的应用等。

5G跟云管端相连，云端应用技术领域主要是数据中心，以边缘计算为主，它主要关注高性能计算器和散热。再比如最近中国兴起的是挖矿（虚拟货币），封装类型主要是TSV、2.5D硅通孔。

管道主要是高速传输、通信基站，主要是大容量数据高速传输，我们做的主要是大型FPGA，这里会有先进SIP封装。小基站预计也会有很多应用，假设每个人有一个小基站解决，就不需要回到数据中心再出来。

在端方面，可穿戴设备SIP做得比较多。手机有20多个模组，其中有一半是SIP的。大概10-15年前就开始埋芯片到电源，期间技术不断的演进，现在MEMS传感器、生物识别、无线、MPU或者CPU的是封装，都有很多新的在2015-2016年的工艺，这也是目前整个行业的投资热点之一。

汪之涵：碳化硅器件国产化，工艺、材料突破是关键

【图3：深圳青铜剑科技股份有限公司董事长汪之涵】

碳化硅材料相比硅材料在禁带宽度、临界击穿场强、电子饱和漂移速率等方面优势明显，采用碳化硅材料制作的功率半导体器件性能非常优异。从产业发展的角度上看，2014年到2015年是产业的拐点，碳化硅市场的增速大幅提升。截止2016年底，全球有四家公司推出碳化硅MOSFET的商业化产品，包括科锐、罗姆等，而国内公司尚未有量产产品。从国内第三代半导体发展区域来讲，主要是华东、华南、华北三个区域。

从下游市场来看，碳化硅的应用非常广，大功率的应用，像智能电网、轨道交通，小功率的应用，比如家用电器等，都需要用到碳化硅器件。电动汽车是其中非常重要的一个应用，国外一些企业已经在电机控制器中采用碳化硅器件，国内企业未来也会逐步采用。另外一个比较重要的应用是国防军工，很多武器装备对功率密度和温度的要求非常高，而碳化硅的高压、高频和高温特性非常吸引人，美国海军的电磁炮、电磁弹射等领域都用到了碳化硅器件。

从碳化硅器件这几年的发展趋势看，六寸线是未来十年的主流。我们和国外在衬底材料的差距不是特别大，但是器件方面的差距较大。目前我们存在的问题：一是成本，受材料及工艺缺陷限制，制造成品率不高，当然随着产量提升和技术突破，将来它的成本水平相比硅来讲有很多提升的空间；二是芯片可靠性不是特别高，稳定性并没有得到长期的验证；三是器件制造工艺方面有不少需要提升的地方。

我们在2016年和瑞典Ascatron公司合资成立了基本半导体公司，并在瑞典设立了研发中心，主要做两方面的产品，在瑞典做碳化硅外延，在深圳做碳化硅器件。我们可以生产4寸和6寸外延，尤其是250微米以上的厚外延是我们的独特技术。目前650伏和1200伏的二极管产品已经量产，1万伏的二极管在客户处进行测试，1200伏的MOSFET即将发布。未来随着设计和工艺的提升，我们希望碳化硅芯片的电压、电流指标不断提升，逐步达到和硅基IGBT一样的功率等级，最终超越硅基器件的性能。

刘国友：新能源汽车领域功率半导体机遇与挑战并存

【图4：株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师、新型功率半导体器件国家重点实验室常务副主任刘国友】

新能源汽车是国内半导体器件未来很有潜力的市场。中国作为新能源汽车最大的市场，占全球40%的份额。2017年，国内有将近60万台，2020年可能突破200万台。新能源汽车对电机的控制，核心是电流、电压的器件。当前主流的是IGBT，经过三十年的发展后，电流电压等级都有了很大的提升，最大芯片容量已超过兆瓦级功率，这已经是非常好的器件。

但与其他领域的应用不一样，新能源汽车用IGBT有很多特殊的需求，如低损耗、高密度、高可靠性、低成本等。 随着新能源汽车技术的发展，对半导体技术的要求也越来越高，未来在功率密度、工作温度、功能集成等几个方面都需要不断改进。目前在发展的一些技术包括：通过对FRD阴极载流子分布控制使芯片性能得到更好的发挥，通过芯片封装工艺提高其导热性、工作损耗能力，通过沟槽精细化的技术进一步提升密度、降低功耗等。

此外，在材料方面用碳化硅材料替代硅材料，提升工作频率和工作稳定性。碳化硅是一种非常好的功率半导体材料，随着温度的升高，其开关损耗的变化很小，非常适合新能源汽车在城市道路上的行驶。SiC Mosfet比Si IGBT有更低的频率和损耗。基于碳化硅技术，我们开发了碳化硅器件和全套碳化硅模块，满足汽车、高铁及电网的需求。

目前国外公司在汽车功率芯片、封装技术上优势明显。国内汽车IGBT的产业痛点是IP、技术、应用经验和市场接受度，汽车IGBT产品验证、导入期非常长，一般是6年，最短3年。为了形成中国特色的IGBT产业链，建立完整产业链的商业模式，我们必须加上应用、产学研及产业链国产化，加上自主技术需求的产品进程，形成基于创新链、产业链、经营链、政策和人才等完整的产业生态。